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    Memoria RAM Ddr4 16GB 3200MHZ Udimm

    Memoria RAM Ddr4 16GB 3200MHZ Udimm

    Código:
    HSC416U32Z116G
    • Tipo de interfaz: NVMe M.2
    • Capacidad: 512GB
    • Veloctidad de lectura secuencial: hasta 7050 MB/s
    • Veloctidad de escritura secuencial: hasta 4200 MB/s
    • Tecnología de almacenamiento: 3D TLC
    • Consumo máximo de energía: 3.66W
    • Temperatura de operación: 0-70°C
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    Marca: Hiksemi
    Categoría: Memorias RAM
    Marca: Hiksemi
    Categoría: Memorias RAM
    Descripción

    Disco estado sólido NVME M.2 de 512GB.

    Especificaciones Técnicas

    Capacidad512GB
    InterfazPCIe 4.0
    Factor de formaM.2 2280
    Lectura secuencial máxima7050MB/s
    Escritura secuencial máxima4200MB/s
    Max. Ran. 4K lectura IOPS710K
    Max. Ran. 4K escritura IOPS640K
    Consumo de energía máximo3.66W
    TBW900TB
    Storage Medium3D TLC
    MTBF2,000,000 horas
    Temperatura de operación0-70℃
    Temperatura de almacenamiento-40 °C a 85 °C
    Peso≤7g
    Garantía5 años

    Disco estado sólido NVME M.2 de 512GB.

    Especificaciones Técnicas

    Capacidad512GB
    InterfazPCIe 4.0
    Factor de formaM.2 2280
    Lectura secuencial máxima7050MB/s
    Escritura secuencial máxima4200MB/s
    Max. Ran. 4K lectura IOPS710K
    Max. Ran. 4K escritura IOPS640K
    Consumo de energía máximo3.66W
    TBW900TB
    Storage Medium3D TLC
    MTBF2,000,000 horas
    Temperatura de operación0-70℃
    Temperatura de almacenamiento-40 °C a 85 °C
    Peso≤7g
    Garantía5 años

    Mismas características, otras marcas

    Memoria RAM Ddr4 16GB 3200MT/s Cl22 Para PC
    Kingston
    Memoria RAM Ddr4 16GB 3200MT/s Cl22 Para PC
    USD 393,50
    Memoria RAM Ddr4 16GB 3200MHZ Cl16 Udimm
    Adata
    Memoria RAM Ddr4 16GB 3200MHZ Cl16 Udimm
    USD 241,50

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